功率器件 基于先进的器件芯片设计及封装技术、严苛的生产质量管控,紫光同芯打造了品类齐全的器件产品矩阵,拥有SGT MOS(屏蔽栅金属氧化物场效应晶体管)、SJ MOS(超结金属氧化物场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)等产品。其中,SGT MOS电压覆盖范围为30V-250V,SJ MOS电压覆盖范围为500V-1200V,IGBT电压覆盖范围为650V-1200V。该系列产品覆盖行业内主流的封装形式,适用于汽车电子、光伏、工控、消费等领域,能够满足客户多方位的需求。

产品列表

/ PRODUCT LIST
Products
Certifications
Packages
Polarity
BVdss(V)
ID(A)
VTH(V)min
VTH(V)max
Rdson(Ω)
Vgs=10V typ
Rdson(Ω)
Vgs=10V max
TPB90R950M
M
TO-263
0
900
6
2.5
4.5
880
950
TPA90R350A
M
TO-220F
0
900
15
2.5
4
340
380
TPW90R350A
M
TO-247
0
900
15
2.5
4
340
380
TPB90R350A
M
TO-263
0
900
15
2.5
4
340
380
TPA80R900M
M
TO-220F
0
800
6
2.5
4.5
790
900
TPD80R900M
M
TO-252
0
800
6
2.5
4.5
790
900
TPP80R750C
M
TO-220
0
800
8
2.5
4
660
750
TPA80R750C
M
TO-220F
0
800
8
2.5
4
660
750
TPD80R750C
M
TO-252
0
800
8
2.5
4
660
750
TPP80R400M
M
TO-220
0
800
13
2.5
4.5
350
400
TPA80R400M
E
TO-220F
0
800
13
2.5
4.5
375
400
TPW80R400M
M
TO-247
0
800
13
2.5
4.5
350
400
TPD80R400M
E
TO-252
0
800
13
2.5
4.5
375
400
TPB80R400M
M
TO-263
0
800
13
2.5
4.5
350
400
TPP80R300MFD
M
TO-220
0
800
17
3
5
270
300
TPW80R300MFD
M
TO-247
0
800
17
3
5
270
300
TPB80R300MFD
M
TO-263
0
800
17
3
5
270
300
TPP80R300C
M
TO-220
0
800
15
2.5
4
260
300
TPA80R300C
M
TO-220F
0
800
15
2.5
4
260
300
TPW80R300C
M
TO-247
0
800
15
2.5
4
260
300
紫光同芯微电子有限公司
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